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2010年度課程與研討會 |
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CIGS太陽光電系統橫跨了化合物半導體、電機、化學、材料、物理以及工程等各領域，上下游所需技術層面極廣。因具有高轉換效率潛力、穩定度佳、低材料成本、可製成薄膜，且在材料中不使用砷、鎘等污染源及免用目前面臨缺料的矽材料等優點而備受重視。CIGS化合物半導體為直接能隙材料，能吸收波長範圍較大的太陽光，且能調變自身組成以達到p-n介面，是公認做為太陽能電池主吸收層的最佳材料之一。由於CIGS的高光吸收率優勢，使得CIGS吸收層的厚度在1~2µm即可，以一般粗略估算，在量産製造時，半導體材料費用只需要0.03美元/瓦，極具競争優勢。
課程內容：(自7.29~ 7.30共12小時，為期二天課程)
TEEIA990729 ( 7月29日 星期四 )
09:30~10:45台灣CIGS產業發展及課題分析/中山科學研究院游欽宏科專計畫主持人
(1) 亞洲太陽能面板業者CIGS技術發展現況 (2) 台灣發展CIGS製程技術機會與課題分析
10:45~11:00休息時間
11:00~12:15高效率CIGS太陽電池設計與技術/光洋應用材料陳李賀董事長
(1) CIGS太陽電池轉換效率成果 (2) 現階段CIGS技術開發課題分析 (3) 未來CIGS技術整體發展方向
12:15~13:30午餐
13:30~14:30 CIGS太陽電池濕式製程技術現況/正峰新能源技轉部陳文仁經理
(1) CIGS太陽電池濕式製程技術現況 (2) 濕式製程技術對於吸收層效果特性分析 (3) 未來濕式製程技術發展方向與趨勢
14:30~14:45休息時間
14:45~15:45 CIGS太陽能發電模組技術課題分析/綠能光電吳泉毅經理
(1) 現階段CIGS太陽能發電模組技術 (2) 模組真空製程與電極技術課題 (3) 針對模組開發所需的品質管理要件
15:45~16:00休息時間
16:00~17:00 CIGS印刷製程技術現況與潛力分析/工研院綠能所蔡松雨組長
(1) CIGS印刷製程技術現況 (2) 印刷製程對吸收層影響與其他技術比較 (3) 印刷製程未來發展空間分析
17:00~17:30學習成果評量
TEEIA990730 ( 7月30日 星期五 )
09:30~10:45 CIGS製程設備發展與轉換效率/北儒精密吳烈仁資深顧問
(1) CIGS製程設備發展現況分析 (2) 製程技術轉換效率現況與未來提升機會 (3) 台灣業者整線設備整合行銷可能
10:45~11:00休息時間
11:00~12:15 CIGS太陽電池材料市場及機會/威成應材彭及銓業務經理
(1) 薄膜太陽能電池製程開發 (2) 元件結構與材料特性 (3) 關鍵材料市場現況及發展機會
12:15~13:30午餐
13:30~16:45日本最新可彎曲CIGS太陽電池面板製程與材料分析/立命館大學準教授峯元高志
(1) 日本CIGS太陽電池的變換効率的現狀 (2) 可彎曲面板太陽電池的生産課題和分析(3) CIGS太陽電池的Na効果和其制禦方法 (4) 可彎曲CIGS太陽電池材料現狀與趨勢
16:45~17:00學習成果評量
※主辦單位保留講師及議題更動權
主辦單位：經濟部工業局
承辦單位：半導體學院
執行單位：社團法人台灣電子設備協會(TEEIA)原TOSEA
舉辦時間：99年07月29日(四)、07月30日(五) 總計12小時
舉辦地點：新竹科技生活館會議室(新竹科學園區工業東二路1號）
收費標準：每人5,000元整（原價NT$10,000，政府補助 NT$5,000，學員自付 NT$5,000）
繳費方式：因現場座位有限，以先繳費者為優先
1.支票或匯票─請開立99年7月29日到期支票，“掛號”郵寄方式繳費並附報名表影本
►支票或匯票抬頭─社團法人台灣電子設備協會(請寫全名)
►郵寄地址─110台北市信義路五段5號3樓3E41室 鄭雅存小姐收
2.電匯或ATM轉帳後“傳真”匯款收執聯或ATM轉帳記錄並註明報名課程及人員
►受款帳戶─社團法人台灣電子設備協會(請寫全名)
►受款銀行─土地銀行工研院分行
►受款帳號─156-001-00095-1
►備 註─請勿塗改轉出帳號，以利本會對帳核銷
報名截止：99年7月26日(須出示繳費證明方視為完成報名手續)，額滿為止
報名聯絡人：TEEIA鄭雅存小姐 TEL：(02)2729-3933 FAX：(02)2729-3950 e-mail：registration@tosea.org.tw
報名方式：下載報名表，連同匯款單據e-mail或將前兩者傳真回TOSEA、線上報名 http://train.tosea.org.tw
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